日本電波工業(yè)株式NDK晶振由于制造普通晶體振蕩器（PXO）、壓控晶體振蕩器（VCXO）、溫補(bǔ)晶體振蕩器（TCXO）、恒溫晶體振蕩器（OCXO）、陶瓷諧振器等涉及高溫處理，所以需要大量電力的過程。通過使產(chǎn)品更加緊湊，可以增加每個(gè)工序引入的零件數(shù)量。設(shè)備功耗幾乎不影響零件數(shù)量。因此，每個(gè)產(chǎn)品的功耗減少由于增加的部件的數(shù)量，然后抑制二氧化碳排放。與這項(xiàng)改革，減少功耗設(shè)備也實(shí)施。為了快速響應(yīng)我們的客戶需求，我們整合了我們的基本技術(shù)，設(shè)計(jì)技術(shù)，生產(chǎn)技術(shù)和制造技術(shù)，成功地減少和減輕產(chǎn)品使用最先進(jìn)的技術(shù)。
    NDK晶振集團(tuán)作為“地球內(nèi)企業(yè)”，在保護(hù)地球環(huán)境方面發(fā)揮著領(lǐng)導(dǎo)作用。我們尊重歷史、文化和傳統(tǒng)的多樣性，并致力于“CSR經(jīng)營(yíng)”和“環(huán)境經(jīng)營(yíng)”。為取得社會(huì)的信任，為推動(dòng)環(huán)境負(fù)荷最小化，集團(tuán)還開展了各種各樣的活動(dòng)。
    NDK石英晶振在“制造、使用、有效利用、再利用”這樣一個(gè)產(chǎn)品生命周期中，努力創(chuàng)造豐富的價(jià)值，給社會(huì)帶來溫馨和安寧，感動(dòng)和驚喜，同時(shí)為減少環(huán)境影響，努力做好“防止地球變暖、有效利用資源、對(duì)化學(xué)物質(zhì)進(jìn)行管理”，實(shí)現(xiàn)與地球的和諧相處。

    Cstray可能從2p??F到6pF不等。
    可拉性：在并聯(lián)諧振晶體中，頻率隨負(fù)載電容CL的變化而變化。可調(diào)性是并聯(lián)電容Co運(yùn)動(dòng)電容C1和晶體尺寸的函數(shù)。
    絕緣電阻：晶體引線之間或引線與外殼（金屬外殼）之間的電阻。它在100V±15V的直流電壓下測(cè)試，絕緣電阻在500莫姆范圍內(nèi)。
    串聯(lián)諧振：當(dāng)諧振時(shí)阻抗最小時(shí)發(fā)生串聯(lián)諧振。其串聯(lián)諧振的等效電路是一個(gè)電阻。
    品質(zhì)因數(shù)：是運(yùn)動(dòng)電感，諧振頻率和ESR的質(zhì)量函數(shù)。典型的范圍是從十幾到幾百。
    晶體等效電路
    示出了石英晶體的等效電路以解釋控制晶體特性和性能的基本元素。它由運(yùn)動(dòng)電容C1，電感L1，串聯(lián)電阻R1??和分路電容C0組成。前三個(gè)參數(shù)被稱為石英晶體元件的“運(yùn)動(dòng)參數(shù)”。
    陶瓷諧振器應(yīng)用說明
    一般描述
    為什么陶瓷諧振器？在精度方面，陶瓷諧振器位于石英晶體振蕩器和LC / RC振蕩器之間。它們相當(dāng)小，無需調(diào)整，啟動(dòng)時(shí)間更短，成本更低。
    封裝：陶瓷諧振器帶有標(biāo)準(zhǔn)的單列直插式封裝（ZTA，ZTB和ZTT），或者帶有內(nèi)置電容器的3引腳（ZTTS，ZTTCV）。
    性質(zhì)：陶瓷諧振器的振蕩取決于與其壓電晶體結(jié)構(gòu)相關(guān)的機(jī)械諧振。這些材料（通常是鈦酸鋇或鋯鈦酸鉛）具有較大的偶極子運(yùn)動(dòng)，這通過施加的電場(chǎng)引起晶體的變形或生長(zhǎng)。
    頻率范圍：可用頻率范圍從190 kHz到50 MHz不等。
    頻率穩(wěn)定度：在溫度范圍內(nèi)（即-20oC至+ 80oC），與25o C的測(cè)量頻率相比，最大允許頻率偏差。典型的穩(wěn)定性為±0.3％（±3000ppm）。
    頻率允差：室溫下允許的額定頻率偏差。頻率容差以百分比表示，典型值為±0.5％或百萬分率（ppm），±5000ppm。
諧振阻抗：晶體在工作諧振電路中的阻抗值。
    老化：相對(duì)頻率在一段時(shí)間內(nèi)發(fā)生變化。這種頻率變化率通常是指數(shù)性的。通常情況下，10年內(nèi)的老化率為±0.5％。
    負(fù)載電容：負(fù)載電容（CL）是通過兩個(gè)諧振器端子查看電路時(shí)振蕩器所表現(xiàn)的電容量。負(fù)載電容用一對(duì)C1和C2表示，默認(rèn)值見表格。
    等效電路：它的等效電路類似于石英晶體等效電路，即由并聯(lián)CO電容并聯(lián)的串聯(lián)L1，C1，R1電路組成。標(biāo)準(zhǔn)ZTAS-MG-4.00MHz的典型參數(shù)如下：L - 330uH，Cl - 5pF，C0 - 40pF和Q?900。
    超聲波清洗
    （1）使用AT-切割晶體和表面聲波（SAW）諧振器/濾波器的產(chǎn)品，可以通過超聲波進(jìn)行清洗。但是，在某些條件下， 晶體特性可能會(huì)受到影響，而且內(nèi)部線路可能受到損壞。確保已事先檢查系統(tǒng)的適用性。
    （2）使用音叉晶體和陀螺儀傳感器的產(chǎn)品無法確保能夠通過超聲波方法進(jìn)行清洗，因?yàn)榫w可能受到破壞。
    （3）請(qǐng)勿清洗開啟式產(chǎn)品
    （4）對(duì)于可清洗產(chǎn)品，應(yīng)避免使用可能對(duì)產(chǎn)品產(chǎn)生負(fù)面影響的清洗劑或溶劑等。
    （5）焊料助焊劑的殘留會(huì)吸收水分并凝固。這會(huì)引起諸如位移等其它現(xiàn)象。這將會(huì)負(fù)面影響產(chǎn)品的可靠性和質(zhì)量。請(qǐng)清理殘余的助焊劑并烘干PCB。
    操作
    請(qǐng)勿用鑷子或任何堅(jiān)硬的工具，夾具直接接觸IC的表面。
    使用環(huán)境（溫度和濕度）
    請(qǐng)?jiān)谝?guī)定的溫度范圍內(nèi)使用產(chǎn)品。這個(gè)溫度涉及本體的和季節(jié)變化的溫度。在高濕環(huán)境下，會(huì)由于凝露引起故障。請(qǐng)避免凝露的產(chǎn)生。
    晶體單元/諧振器
    激勵(lì)功率
    在晶體單元上施加過多驅(qū)動(dòng)力，會(huì)導(dǎo)致產(chǎn)品特性受到損害或破壞。電路設(shè)計(jì)必須能夠維持適當(dāng)?shù)募?lì)功率 （請(qǐng)參閱“激勵(lì)功率”章節(jié)內(nèi)容）。
    負(fù)極電阻
    除非振蕩回路中分配足夠多的負(fù)極電阻，否則振蕩或振蕩啟動(dòng)時(shí)間可能會(huì)增加（請(qǐng)參閱“關(guān)于振蕩”章節(jié)內(nèi)容）。
    負(fù)載電容
    振蕩電路中負(fù)載電容的不同，可能導(dǎo)致振蕩頻率與設(shè)計(jì)頻率之間產(chǎn)生偏差。試圖通過強(qiáng)力調(diào)整，可能只會(huì)導(dǎo)致不正常的振蕩。在使用之前，請(qǐng)指明該振動(dòng)電路的負(fù)載電容（請(qǐng)參閱“負(fù)載電容”章節(jié)內(nèi)容）。

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